Para aplicaciones de potencia CA que involucran solo componentes de baja frecuencia y un factor de potencia cercano a la unidad, existen numerosos productos de medida de potencia que pueden considerarse una solución adecuada. Sin embargo, una proporción cada vez mayor de aplicaciones de electrónica de potencia implica formas de onda distorsionadas que no pueden medirse correctamente con analizadores de potencia convencionales.
Estas aplicaciones requieren un nivel de precisión de potencia en banda ancha que muy pocos analizadores de potencia alcanzan y demuestran. Identificar el instrumento más adecuado para estas aplicaciones se vuelve particularmente difícil, ya que la precisión básica que se especifica en los catálogos generales de los analizadores de potencia comerciales se refiere típicamente solo a la componente fundamental. En esta nota de aplicación se trata la importancia de cuantificar y calibrar la precisión de la potencia en banda ancha, incluyendo todo el contenido armónico y modulación, y se explica porqué centrarse en la precisión básica puede ser engañoso o completamente irrelevante para un ingeniero en electrónica de potencia.
El desarrollo y uso de dispositivos conmutados como los MOSFET de SiC y GaN, ha incrementado inevitablemente los componentes de alta frecuencia en los circuitos electrónicos de potencia. A partir de este ejemplo de un inversor de GaN, se desprende claramente que una medición precisa de la potencia requiere la inclusión tanto de la frecuencia portadora como de sus componentes armónicas. Por consiguiente, para cuantificar la precisión total de cualquier instrumento de medición de potencia en aplicaciones de potencia distorsionada, no podemos basar nuestra decisión únicamente en la componente de frecuencia fundamental, sino también considerar la precisión en el rango de frecuencias armónicas.
Nota de aplicación completa en https://www.newtons4th.com/doc/D000128-APP042-Understanding-high-accuracy-wideband-power.pdf.
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